下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是 。
A.信息可读可写,并且读、写速度一样快
B.存储元由 MOS 管组成,是一种半导体存储器
C.掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器
D.采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器
参考答案:A
解析:&nbs...
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解析: 闪存是 EEPROM 的进一步发展,可读可写,用 MOS 管的浮栅上有无电荷来存储信息,它依然是ROM 的一种,故写速度比读速度要慢不少(硬件常识)。闪存是一种非易失性存储器,它采用随机访问方式。现在常见的 SSD 固态硬盘,即由 Flash 芯片组成。
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