已知单个存储体的存储周期为110ns,总线传输周期为10ns,则当采用低位交叉编址的多模块存储器时,存储体数应()。 A、小于11 B、等于11 C、大于11 D、大于或等于11
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解析:为保证第二次启动某个体时,其上次存取操作已完成,存储体的数量应大于等于 11 (110ns / 10ns )。
来源知识点:设模块字长等于数据总线宽度,模块存取一个字的存取周期为 T,总线传送周期为r,为实现流水线方式存取,存储器交叉模块数应大于等于 m = T / r。
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