已知单个存储体的存储周期为110ns，总线传输周期为10ns，则当采用低位交叉编址的多模块存储器时，__N诺考研

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已知单个存储体的存储周期为110ns，总线传输周期为10ns，则当采用低位交叉编址的多模块存储器时，存储体数应（）。
A、小于11 B、等于11 C、大于11 D、大于或等于11

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D D 选项

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2023年6月1日 15:08

解析：为保证第二次启动某个体时，其上次存取操作已完成，存储体的数量应大于等于 11
(110ns / 10ns )。

来源知识点：设模块字长等于数据总线宽度，模块存取一个字的存取周期为 T，总线传送周期为r，为实现流水线方式存取，存储器交叉模块数应大于等于 m = T / r。

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