下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是( )。
A. 信息可读可写,并且读、写速度一样快
B. 存储元由MOS管组成,是一种半导体存储器
C. 掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器
D. 采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器
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闪存是EEPROM的进一步发展,可读可写,用MOS管的浮栅上有无电荷来存储信息,它依然是ROM的一种,故写速度比读速度要慢不少
闪存的信息可读可写,但写入操作相对...
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