下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是( )。
A. 信息可读可写,并且读、写速度一样快
B. 存储元由MOS管组成,是一种半导体存储器
C. 掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器
D. 采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器
闪存是EEPROM的进一步发展,可读可写,用MOS管的浮栅上有无电荷来存储信息,它依然是ROM的一种,故写速度比读速度要慢不少
闪存的信息可读可写,但写入操作相对...
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闪存的信息可读可写,但写入操作相对读取操作来说较慢。写入操作需要先擦除整个闪存块的数据,然后再进行写入操作。这个擦除和写入的过程需要一定的时间,所以写入速度较读取速度慢。选项A错误。
闪存是一种基于半导体技术的存储器,其存储单元由MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管组成,也被称为闪存晶体管。选项B正确。
闪存是一种非易失性存储器,意味着即使在失去电源的情况下,存储在闪存中的信息仍然不会丢失。选项C正确。
闪存可以通过随机访问方式进行读取和写入操作,因此可以用作计算机的外部存储器,例如固态硬盘(SSD)和闪存驱动器(USB闪存驱动器)等。选项D正确。
本题选A。
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