同动态MOS存储器比较,双极型半导体存储器的性能是()。 A、集成度低,存取周期快,位平均功耗大 B、集成度低,存取周期慢,位平均功耗小 C、集成度高,存取周期快,位平均功耗小 D、集成度高,存取周期慢,位平均功耗大
①半导体存储器:双极性(TTL)半导体存储器、MOS半导体存储器
—TTL:集成度低、功耗高、速度快
—MOS:集成度高、功耗低
A
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